文档与媒体
- 数据列表
- BCW61C,215
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 550mV @ 1.25mA,50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 250 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 250 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 20nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
STM32F100RDT7B
S1C17W18F103100-119
STM32F378RCT6
STM32F378RCY6TR
XMC4100Q48F128BAXUMA1
XMC4104F64F128BAXQMA1
CY8C4547AZI-S453
CY9BF521MBGL-GK9E1
CY8C4547AZQ-S453
CY8C4147LQS-S263
CY8C4147LQS-S263T
CY8C4146LQS-S273T
CY8C4146LQS-S273
STM32G473CCU6TR
TMPM330FDFG(C)
ATXMEGA128C3-MH
ATMEGA165P-16ANR
ATMEGA165PV-8ANR
ATMEGA162-16MUR
ATMEGA165P-16MNR