产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC848BHE3-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 500mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 225 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H2ATTD1064F25
RN73H2ATTD1094F50
RN73H2ATTD1000D100
RN73H2ATTD1330F100
RN73H2ATTD12R7F100
RN73H2ATTD1211D50
RN73H2ATTD1061D100
RN73H2ATTD1292F50
RN73H2ATTD1103F25
RN73H2ATTD1072F25
RN73H2ATTD1144D50
RN73H2ATTD10R5D100
RN73H2ATTD1173D50
RN73H2ATTD1271D50
RN73H2ATTD1233D50
RN73H2ATTD10R5D50
RN73H2ATTD1113D50
RN73H2ATTD1052D100
RN73H2ATTD12R9D100
RN73H2ATTD1213D50