文档与媒体
- 数据列表
- BC856AQBZ
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 125 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- DFN1110D-3
- 功率 - 最大值 :
- 340 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳 :
- 3-XDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 65 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
KTF101B335K43N0T00
KTF101B475K43NHT00
KTF101B685K55NHT00
KTF251B333K31NLT00
KTF251B473K31N0T00
KTF251B683K31N0T00
KTF251B104K31N0T00
KTF251B154K32N0T00
KTF251B224K32N0T00
KTF251B334K32N0T00
KTF251B474K43N0T00
KTF251B684K43N0T00
KTF251B105K55N0T00
KTF251B155K55NLT00
C3216Y5V1H105Z
KTJ101B156M55BFT00
YNA21B1C0G106M
500R07N470JV4T
250R07N151JV4T
250R07N221JV4T
