文档与媒体
- 数据列表
- PBHV9050Z,115
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 350mV @ 20mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 80 @ 50mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 700 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 500 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 250 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 50MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
D55342K07B20B0TTS
D55342K07B2E87TWSV
D55342E07B309BTWS
D55342E07B1B02TTS
D55342E07B100BTTS
D55342K07B100ATTS
D55342E07B100BTWS
D55342E07B649ATWS
D55342H07B100GTWS
D55342K07B100BTTS
D55342E07B76B8TBS
D55342E07B38B3TWS
D55342K07B100BTWS
D55342K07B30A1TTS
D55342E07B243ATTS
D55342E07B154BTBS
D55342K07B9E76TWSV
D55342E07B243ATWS
D55342E07B12B7TWS
D55342E07B12B1TWS
