产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BSP16T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 2V @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 30 @ 50mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223（TO-261）
- 功率 - 最大值 :
- 1.5 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 300 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50µA
- 频率 - 跃迁 :
- 15MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GQM1885C2A6R2DB01J
GQM1885C2A6R8BB01D
GQM1885C2A6R8BB01J
GQM1885C2A6R8CB01J
GQM1885C2A6R8DB01J
GQM1885C2AR10BB01J
GQM1885C2AR20BB01J
GQM1885C2AR20WB01D
GQM1885C2AR20WB01J
GQM1885C2AR30BB01J
GQM1885C2AR30WB01D
GQM1885C2AR30WB01J
GQM1885C2AR40BB01D
GQM1885C2AR40BB01J
GQM1885C2AR40WB01D
GQM1885C2AR40WB01J
GQM1885C2AR50BB01J
GQM1885C2AR50CB01J
GQM1885C2AR50WB01D
GQM1885C2AR50WB01J
