产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BCW65CLT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 700mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 250 @ 100mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 225 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 800 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 20nA
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RK73H3ATTE10R5D
RK73H3ATTE4300D
RK73H3ATTE80R6D
RK73H3ATTE33R0D
RK73H3ATTE1002D
RK73H3ATTE3003D
RK73H3ATTE1333D
RK73H3ATTE30R1D
RK73H3ATTE8661D
RK73H3ATTE30R9D
RK73H3ATTE2151D
RK73H3ATTE4303D
RK73H3ATTE2211D
RK73H3ATTE1242D
RK73H3ATTE2320D
RK73H3ATTE1740D
RK73H3ATTE75R0D
RK73H3ATTE1152D
RK73H3ATTE1303D
RK73H3ATTE2740D
