产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC858AWT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 125 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SC-70-3（SOT323）
- 功率 - 最大值 :
- 150 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70，SOT-323
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-1003NA12I-M5T1U
S-1003NA13I-I6T1U
S-1003NA13I-M5T1U
S-1003NA14I-I6T1U
S-1003NA14I-M5T1U
S-1003NA15I-I6T1U
S-1003NA15I-M5T1U
S-1003NA16I-I6T1U
S-1003NA17I-I6T1U
S-1003NA17I-M5T1U
S-1003NA18I-M5T1U
S-1003NA19I-I6T1U
S-1003NA19I-M5T1U
S-1003NA20I-M5T1U
S-1003NA21I-I6T1U
S-1003NA21I-M5T1U
S-1003NA22I-I6T1U
S-1003NA22I-M5T1U
S-1003NA23I-I6T1U
S-1003NA24I-I6T1U
