文档与媒体
- 数据列表
- PBHV9540Z,115
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 320mV @ 100mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 80 @ 300mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 1.45 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 400 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 30MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN731JTTD5102C50
RN731JTTD5171B50
RN731JTTD51R7D50
RN731JTTD5231D25
RN731JTTD5230B50
RN731JTTD5301F10
RN731JTTD51R0F50
RN731JTTD4592D100
RN731JTTD5361C10
RN731JTTD5230D100
RN731JTTD53R6F50
RN731JTTD5361D100
RN731JTTD49R9F100
RN731JTTD51R0B50
RN731JTTD53R0F50
RN731JTTD5421F100
RN731JTTD3302F10
RN731JTTD5421C25
RN731JTTD51R1F100
RN731JTTD4870D100
