产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SC5876U3T106
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 10mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 120 @ 50mA,2V
- 供应商器件封装 :
- UMT3
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70,SOT-323
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
9T08052A1431DBHFT
9T08052A1471DBHFT
9T08052A1501DBHFT
9T08052A1541DBHFT
9T08052A1581DBHFT
9T08052A1601DBHFT
9T08052A1621DBHFT
9T08052A1651DBHFT
9T08052A1691DBHFT
9T08052A1741DBHFT
9T08052A1781DBHFT
9T08052A1801DBHFT
9T08052A1821DBHFT
9T08052A1871DBHFT
9T08052A1911DBHFT
9T08052A1961DBHFT
9T08052A2001DBHFT
9T08052A2051DBHFT
9T08052A2101DBHFT
9T08052A2151DBHFT