产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MSD602-RT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 30mA，300mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SC-59
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
LLL315R71C104MA11K
GCJ31ML8YA474MA01K
GCM2165G1H101FA16J
FA18C0G1H182JNU00
FA18C0G1H222JNU00
FA18C0G2A221JNU00
FA28C0G1H182JNU00
VJ1206A182KXBAT
VJ1206A182KXBMT
GCM31A5C3A471GX01D
C410C100J3G5TA
C410C110J3G5TA
C410C120J3G5TA
C410C130J3G5TA
C410C150J3G5TA
C410C160J3G5TA
C410C180J3G5TA
C410C200J3G5TA
C410C220J3G5TA
C410C240J3G5TA
