产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSS60601MZ4T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 600mA,6A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 120 @ 1A,2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223(TO-261)
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 6 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG2012N-101-W-T5
RG2012N-111-W-T5
RG2012N-121-W-T5
RG2012N-131-W-T5
RG2012N-151-W-T5
RG2012N-161-W-T5
RG2012N-181-W-T5
RG2012N-201-W-T5
RG2012N-221-W-T5
RG2012N-241-W-T5
RG2012N-271-W-T5
RG2012N-301-W-T5
RG2012N-331-W-T5
RG2012N-361-W-T5
RG2012N-391-W-T5
RG2012N-431-W-T5
RG2012N-471-W-T5
RG2012N-511-W-T5
RG2012N-561-W-T5
RG2012N-621-W-T5