产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FJNS4211RBU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 1mA,10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 1mA,5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92S
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3,TO-92-3 短体
- 晶体管类型 :
- PNP - 预偏压
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 40 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- -
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 22 kOhms
- 频率 - 跃迁 :
- 200 MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
Y16363K32000T9R
Y16363K39078T0W
Y16363K52000T9W
Y16363K57000T9W
Y16363K65000T9R
Y16363K65000T9W
Y16363K88000T9R
Y16363K90000T9R
Y16363K90000T9W
Y16364K00000T0R
Y16364K00000T0W
Y16364K00000T9W
Y16364K87000T9W
Y16365K00000T0R
Y16365K00000T9W
Y40213K24000T9R
Y40215K00000T9W
Y1632500R000A9W
Y40143K70000F9R
Y40143K70000F9W