产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMUN2114LT3G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 250mV @ 300µA,10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 80 @ 5mA,10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3(TO-236)
- 功率 - 最大值 :
- 246 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 晶体管类型 :
- PNP - 预偏压
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 500nA
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 47 kOhms
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 10 kOhms
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
0603J0250123MDR
0603J0250123MDT
0603J0250123MXR
0603J0250150FCR
0603J0250150FFR
0603J0250150FFT
0603J0250150GCR
0603J0250150GFR
0603J0250150GFT
0603J0250150JCR
0603J0250150JFR
0603J0250150JFT
0603J0250150KCR
0603J0250150KFR
0603J0250150KFT
0603J0250151FCR
0603J0250151FFR
0603J0250151FFT
0603J0250151GCR
0603J0250151GFR