产品概览
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- 数据列表
- DTC115GU3T106
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 500µA,10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 82 @ 5mA,5V
- 供应商器件封装 :
- UMT3
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70,SOT-323
- 晶体管类型 :
- NPN - 预偏压
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 500nA(ICBO)
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 100 kOhms
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- -
- 频率 - 跃迁 :
- 250 MHz
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