产品概览
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- 数据列表
- DTD114GKT146
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 2.5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 56 @ 50mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SMT3
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 晶体管类型 :
- NPN - 预偏压
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA（ICBO）
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 10 kOhms
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- -
- 频率 - 跃迁 :
- 200 MHz
