产品概览
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- 数据列表
- J112
产品详情
- FET 类型 :
- N 通道
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :
- 5 V @ 1 µA
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :
- 5 mA @ 15 V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 5pF @ 10V（VGS）
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 350 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 漏极电流 (Id) - 最大值 :
- -
- 漏源电压（Vdss） :
- -
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :
- 35 V
- 电阻 - RDS(On) :
- 50 Ohms
