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TF262TH-4-TL-H

FET 类型 :

N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :

200 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :

140 µA @ 2 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

3.5pF @ 2V

供应商器件封装 :

VTFP

功率 - 最大值 :

100 mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

3-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C（TJ）

漏极电流 (Id) - 最大值 :

1 mA

漏源电压（Vdss） :

-

电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :

-

电阻 - RDS(On) :

-