产品概览
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- 数据列表
- MX2N5114UB/TR
产品详情
- FET 类型 :
- P 通道
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :
- 5 V @ 1 nA
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :
- 30 mA @ 18 V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 25pF @ 15V
- 供应商器件封装 :
- UB
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-SMD，无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C（TJ）
- 漏极电流 (Id) - 最大值 :
- -
- 漏源电压（Vdss） :
- 30 V
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :
- 30 V
- 电阻 - RDS(On) :
- 75 Ohms
