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产品详情
- FET 类型 :
- 2 个 N 沟道
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :
- 1 V @ 1 nA
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :
- 7 mA @ 10 V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :
- 5pF @ 10V
- 供应商器件封装 :
- TO-78-6
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-78-6 金属罐
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 漏极电流 (Id) - 最大值 :
- -
- 漏源电压（Vdss） :
- -
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :
- 25 V
- 电阻 - RDS(On) :
- -
