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产品详情
- FET 类型 :
- 2 个 N 沟道
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :
- 1 V @ 1 nA
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :
- 500 µA @ 20 V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 6pF @ 20V
- 供应商器件封装 :
- TO-71
- 功率 - 最大值 :
- 400 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-71-6 金属罐
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏极电流 (Id) - 最大值 :
- -
- 漏源电压(Vdss) :
- -
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :
- 60 V
- 电阻 - RDS(On) :
- -
采购与库存
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