产品概览

产品型号
G5S12020BM
制造商
Global Power Technology
产品类别
二极管阵列
产品描述
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P

文档与媒体

数据列表
G5S12020BM

产品详情

不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
1.7 V @ 10 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
30 µA @ 1200 V
二极管配置 :
1 对共阴极
供应商器件封装 :
TO-247AB
反向恢复时间 (trr) :
0 ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-247-3
工作温度 - 结 :
-55°C ~ 175°C
技术 :
SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
1200 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) :
33A(DC)
速度 :
无恢复时间 > 500mA(Io)

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