产品概览

产品型号
HS3M M6
制造商
Taiwan Semiconductor
产品类别
单二极管
产品描述
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

文档与媒体

数据列表
HS3M M6

产品详情

不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
1.7 V @ 3 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
10 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容 :
50pF @ 4V,1MHz
供应商器件封装 :
DO-214AB(SMC)
反向恢复时间 (trr) :
75 ns
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
DO-214AB,SMC
工作温度 - 结 :
-55°C ~ 150°C
技术 :
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
1000 V
电流 - 平均整流 (Io) :
3A
速度 :
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

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