产品概览

产品型号
NXPSC04650DJ
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
产品类别
单二极管
产品描述
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK

文档与媒体

数据列表
NXPSC04650DJ

产品详情

不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
1.7 V @ 4 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
170 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容 :
130pF @ 1V,1MHz
供应商器件封装 :
DPAK
反向恢复时间 (trr) :
0 ns
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 - 结 :
175°C(最大)
技术 :
SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
650 V
电流 - 平均整流 (Io) :
4A
速度 :
无恢复时间 > 500mA(Io)

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