产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- ES1DL MHG
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 950 mV @ 1 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 5 µA @ 200 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 10pF @ 1V,1MHz
- 供应商器件封装 :
- Sub SMA
- 反向恢复时间 (trr) :
- 35 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- DO-219AB
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 150°C
- 技术 :
- 标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
- 200 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 1A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG2012N-2801-W-T1
RG2012N-2871-W-T1
RG2012N-2941-W-T1
RG2012N-3011-W-T1
RG2012N-3091-W-T1
RG2012N-3161-W-T1
RG2012N-3241-W-T1
RG2012N-3321-W-T1
RG2012N-3401-W-T1
RG2012N-3481-W-T1
RG2012N-3571-W-T1
RG2012N-3651-W-T1
RG2012N-3741-W-T1
RG2012N-3831-W-T1
RG2012N-3921-W-T1
RG2012N-4021-W-T1
RG2012N-4121-W-T1
RG2012N-4221-W-T1
RG2012N-4321-W-T1
RG2012N-4421-W-T1