产品概览

产品型号
IRD3CH101DB6
制造商
Infineon Technologies
产品类别
单二极管
产品描述
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE

文档与媒体

数据列表
IRD3CH101DB6

产品详情

不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
2.7 V @ 200 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
3.6 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容 :
-
供应商器件封装 :
模具
反向恢复时间 (trr) :
360 ns
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
模具
工作温度 - 结 :
-40°C ~ 175°C
技术 :
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
1200 V
电流 - 平均整流 (Io) :
200A
速度 :
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

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