文档与媒体
- 数据列表
- GP2D010A170B
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.75 V @ 10 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 20 µA @ 1700 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 812pF @ 1V,1MHz
- 供应商器件封装 :
- TO-247-2
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-247-2
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC(Silicon Carbide)Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
- 1700 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 10A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA(Io)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR
MT53D512M64D4NW-046 WT:F TR
MT53D512M64D4NW-046 WT:F
S26HL02GTFGBHM040
S26HL02GTFGBHM043
MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y TR
MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y
CY7C1145KV18-450BZXC
CY7C1170KV18-450BZXC
SM662GED BEST
SM662GED BESS
CY7C1069G30-10ZSXIT
CY7C1061G30-10ZXE
CY7C1061G30-10ZXET
MT53E768M32D4DT-053 AUT:E
MT53E768M32D4DT-046 AUT:E TR
MT53E768M32D4DT-053 AUT:E TR
MT53E768M32D4DT-046 AUT:E
MT62F2G32D4DS-023 IT:B