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- 数据列表
- DB2132000L
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 460 mV @ 1.5 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 100 µA @ 30 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 48pF @ 10V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- SMINI2-F4-B-B
- 反向恢复时间 (trr) :
- 16 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 2-SMD，扁平引线
- 工作温度 - 结 :
- 125°C（最大）
- 技术 :
- 肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 1.5A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
