产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IDH08G65C5XKSA1
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.7 V @ 8 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 280 µA @ 650 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 250pF @ 1V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- PG-TO220-2-2
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-2
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 650 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 8A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
AF122-FR-0710K2L
AF122-FR-0710K5L
AF122-FR-0710K7L
AF122-FR-0710KL
AF122-FR-0710R2L
AF122-FR-0710R5L
AF122-FR-0710R7L
AF122-FR-07110KL
AF122-FR-07110RL
AF122-FR-07113KL
AF122-FR-07113RL
AF122-FR-07115KL
AF122-FR-07115RL
AF122-FR-07118KL
AF122-FR-07118RL
AF122-FR-0711K3L
AF122-FR-0711K5L
AF122-FR-0711K8L
AF122-FR-0711KL
AF122-FR-0711R3L
