产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IDD10SG60CXTMA1
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 2.1 V @ 10 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 90 µA @ 600 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 290pF @ 1V,1MHz
- 供应商器件封装 :
- PG-TO252-3
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC(Silicon Carbide)Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
- 600 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 10A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA(Io)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
2220J0500184KDT
2220J0500184KXR
2220J0500184MDR
2220J0500184MDT
2220J0500184MXR
2220J0500185JDR
2220J0500185JDT
2220J0500185JXR
2220J0500185KDR
2220J0500185KDT
2220J0500185KXR
2220J0500185MDR
2220J0500185MDT
2220J0500185MXR
2220J0500220FCR
2220J0500220FFR
2220J0500220FFT
2220J0500220GCR
2220J0500220GFR
2220J0500220GFT