产品概览

产品型号
G4S12020D
制造商
Global Power Technology
产品类别
单二极管
产品描述
DIODE SIL CARB 1.2KV 75A TO263

文档与媒体

数据列表
G4S12020D

产品详情

不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
1.7 V @ 20 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
50 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容 :
2600pF @ 0V,1MHz
供应商器件封装 :
TO-263
反向恢复时间 (trr) :
0 ns
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 - 结 :
-55°C ~ 175°C
技术 :
SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
1200 V
电流 - 平均整流 (Io) :
75A
速度 :
无恢复时间 > 500mA(Io)

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