产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- G3S12002C
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.7 V @ 2 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 50 µA @ 1200 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 170pF @ 0V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- TO-252
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 8.8A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
ERC5544R800BEEK600
ERC552K3400BEEK600
ERC55448K00BEEK600
ERC55328R00BEEK600
ERC5530K100BEEK600
ERC55324K00BEEK600
ERC55328K00BEEK600
ERC5536R500BEEK600
ERC55361R00BEEK600
ERC55453K00BEEK600
ERC554K9900BEEK600
ERC5531K200BEEK600
ERC5534R400BEEK600
ERC5530R100BEEK600
ERC5549R900BEEK600
ERC55392K00BEEK600
ERC55336R00BEEK600
ERC55301R00BEEK600
ERC55487R00BEEK600
ERC5543R200BEEK600
