产品概览

产品型号
1N6779
制造商
Microchip Technology
产品类别
单二极管
产品描述
DIODE GEN PURP 600V 15A TO257

文档与媒体

数据列表
1N6779

产品详情

不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
1.6 V @ 15 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
10 µA @ 480 V
不同 Vr、F 时电容 :
300pF @ 5V,1MHz
供应商器件封装 :
TO-257
反向恢复时间 (trr) :
60 ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-257-3
工作温度 - 结 :
150°C(最大)
技术 :
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
600 V
电流 - 平均整流 (Io) :
15A
速度 :
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

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