产品概览

产品型号
1N5811URS
制造商
Microchip Technology
产品类别
单二极管
产品描述
DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B

文档与媒体

数据列表
1N5811URS

产品详情

不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
875 mV @ 4 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
5 µA @ 150 V
不同 Vr、F 时电容 :
60pF @ 10V,1MHz
供应商器件封装 :
B,SQ-MELF
反向恢复时间 (trr) :
30 ns
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
SQ-MELF,B
工作温度 - 结 :
-65°C ~ 175°C
技术 :
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
150 V
电流 - 平均整流 (Io) :
3A
速度 :
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

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