文档与媒体
- 数据列表
- C6D10065Q-TR
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.5 V @ 10 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 50 µA @ 650 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 611pF @ 0V,1MHz
- 供应商器件封装 :
- 4-QFN(8x8)
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 4-PowerVQFN
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC(Silicon Carbide)Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
- 650 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 39A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA(Io)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C0805J473K1RAC7800
GRM3195C2A183JA01D
VJ1206Y102KXEAC
C0805C471KDRACAUTO
C0805C335K9PAC7800
GCM2195C1H153JA16D
C0402C100C5GAC7867
C420C333K1R5TA7200
C0603X104J4RACAUTO
C0603X224K8RACAUTO
06035C823K4Z2A
GRM188R60J476ME15D
GCJ216R71H103KA01D
C1206C681J1GAC7800
C0805X681J5GACAUTO
GRM185R61A475KE11D
C0805C102KDRACAUTO
SR215C473KARTR2
C1206C181JGGACAUTO
C0805C332KCRAC7800