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- 数据列表
- C6D10065Q-TR
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.5 V @ 10 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 50 µA @ 650 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 611pF @ 0V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- 4-QFN（8x8）
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 4-PowerVQFN
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 650 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 39A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
