产品概览
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- 数据列表
- BAS385-TR3
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 800 mV @ 100 mA
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 2.3 µA @ 25 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 10pF @ 1V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- MicroMELF
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 2-SMD，无引线
- 工作温度 - 结 :
- 125°C（最大）
- 技术 :
- 肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 200mA
- 速度 :
- 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
