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- 数据列表
- MBRD835LT4G
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 510 mV @ 8 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 1.4 mA @ 35 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- -
- 供应商器件封装 :
- DPAK
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 - 结 :
- -65°C ~ 150°C
- 技术 :
- 肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 35 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 8A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
采购与库存
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