产品概览

产品型号
S12B
制造商
GeneSiC Semiconductor
产品类别
单二极管
产品描述
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

文档与媒体

数据列表
S12B

产品详情

不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
1.1 V @ 12 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
10 µA @ 50 V
不同 Vr、F 时电容 :
-
供应商器件封装 :
DO-4
反向恢复时间 (trr) :
-
安装类型 :
底座,接线柱安装
封装/外壳 :
DO-203AA,DO-4,接线柱
工作温度 - 结 :
-65°C ~ 175°C
技术 :
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
100 V
电流 - 平均整流 (Io) :
12A
速度 :
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

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