产品概览

产品型号
BYC30JT-600PSQ
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
产品类别
单二极管
产品描述
DIODE GEN PURP 600V 30A TO3PF

文档与媒体

数据列表
BYC30JT-600PSQ

产品详情

不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
2.75 V @ 30 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容 :
-
供应商器件封装 :
TO-3PF
反向恢复时间 (trr) :
22 ns
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-3PFM,SC-93-3
工作温度 - 结 :
175°C
技术 :
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
600 V
电流 - 平均整流 (Io) :
30A
速度 :
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

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