文档与媒体
- 数据列表
- C4D05120E
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.8 V @ 5 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 150 µA @ 1200 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 390pF @ 0V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- TO-252-2
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 19A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
IS61QDPB41M36A-450B4I
IS61QDPB41M36A-450M3I
IS61QDPB42M18A-400M3I
IS61VPS102436A-166TQL
IS61VPS102436A-166TQL-TR
IS61VPS25618A-200B3I
IS61VPS25618A-200B3I-TR
IS61VPS51236A-200TQLI
IS61VPS51236A-250B3L
IS61VPS51236A-250B3L-TR
IS61WV102416ALL-20MI
IS61WV25616BLL-10BI-TR
IS61WV5128BLL-10BI
IS61WV5128BLL-10BI-TR
IS61WV5128BLS-25TLI-TR
IS62C25616BL-45TLI
IS62C25616BL-45TLI-TR
IS62C5128BL-45QLI
IS62C5128BL-45QLI-TR
IS62C5128BL-45TLI
