产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 1N5525BUR-1/TR
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.1 V @ 200 mA
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 1 µA @ 5 V
- 供应商器件封装 :
- DO-213AA
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 容差 :
- ±5%
- 封装/外壳 :
- DO-213AA
- 工作温度 :
- -65°C ~ 175°C(TJ)
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) :
- 6.2 V
- 阻抗(最大值)(Zzt) :
- 30 Ohms
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5341B-D12831-GM
SI5341B-D12442-GM
SI5341B-D12487-GM
SI5341B-D11414-GM
SI5341B-D12532-GM
SI5341B-D11385-GM
SI5341B-D12348-GM
SI5341B-D13736-GM
SI5341B-D14995-GM
SI5341B-D14300-GM
SI5341B-D14663-GM
SI5341B-D14301-GM
SI5341B-D14572-GM
SI5341B-D14436-GM
SI5341B-D14704-GM
SI5341B-D14723-GM
SI5341B-D14701-GM
SI5341B-D14871-GM
SI5341B-D14320-GM
SI5341B-D14886-GM