产品概览
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- 数据列表
- BZM55B9V1-TR3
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.5 V @ 200 mA
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 100 nA @ 6.8 V
- 供应商器件封装 :
- MicroMELF
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 容差 :
- -
- 封装/外壳 :
- 2-SMD，无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 175°C
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) :
- 9.1 V
- 阻抗（最大值）(Zzt) :
- 50 Ohms
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