产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BZM55B3V9-TR3
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.5 V @ 200 mA
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 2 µA @ 1 V
- 供应商器件封装 :
- MicroMELF
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 容差 :
- -
- 封装/外壳 :
- 2-SMD，无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 175°C
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) :
- 3.9 V
- 阻抗（最大值）(Zzt) :
- 600 Ohms
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA0805A4R7BXBBP31G
GA0805A4R7BXCBC31G
GA0805A4R7BXCBP31G
GA0805A4R7BXEBC31G
GA0805A4R7BXEBP31G
GA0805A4R7CBABR31G
GA0805A4R7CBABT31G
GA0805A4R7CBBBR31G
GA0805A4R7CBBBT31G
GA0805A4R7CBCBR31G
GA0805A4R7CBCBT31G
GA0805A4R7CBEBR31G
GA0805A4R7CBEBT31G
GA0805A4R7CXABC31G
GA0805A4R7CXABP31G
GA0805A4R7CXBBC31G
GA0805A4R7CXBBP31G
GA0805A4R7CXCBC31G
GA0805A4R7CXCBP31G
GA0805A4R7CXEBC31G
