BA779-2-HG3-18 - Vishay General Semiconductor – Diodes Division

产品概览

产品型号: BA779-2-HG3-18

制造商: Vishay General Semiconductor – Diodes Division

产品类别: 射频

产品描述: RF DIODE PIN 30V SOT23-3

文档与媒体

数据列表: BA779-2-HG3-18

产品详情

不同 If、F 时电阻 :: 50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz

不同 Vr、F 时电容 :: 0.5pF @ 0V，100MHz

二极管类型 :: PIN - 1 对串联

供应商器件封装 :: SOT-23-3

功率耗散（最大值） :: -

封装/外壳 :: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

工作温度 :: 125°C（TJ）

电压 - 峰值反向（最大值） :: 30V

电流 - 最大值 :: 50 mA

采购与库存

您可能在找

SI8238AD-D-ISR ADUM4120ARIZ-RL SI8230BB-D-IS1 SI8232BB-D-IS1 SI8261BAD-C-IS FDA217 ADUM4135BRWZ-RL MAX22702EASA+ HCPL-3120 MAX22700EASA+ SI8232BD-D-IS MAX22701DASA+ SI8235BB-D-IS ACPL-W346-000E SI8234AB-D-IS1 SI8275GB-IS1 SI8235AB-D-IS1 SI8274BB1-IS1 SI8273AB-IS1 SI8275DBD-IS1

产品概览

文档与媒体

产品详情

采购与库存

推荐产品

您可能在找