产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBD101LT1G
产品详情
- 不同 If、F 时电阻 :
- -
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 1pF @ 0V，1MHz
- 二极管类型 :
- 肖特基 - 单
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率耗散（最大值） :
- 225 mW
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 电压 - 峰值反向（最大值） :
- 7V
- 电流 - 最大值 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5338A-B08910-GMR
SI5338A-B08929-GM
SI5338A-B08929-GMR
SI5338A-B09037-GM
SI5338A-B09037-GMR
SI5338A-B09038-GM
SI5338A-B09038-GMR
SI5338A-B09046-GM
SI5338A-B09046-GMR
SI5338K-B00176-GM
SI5338K-B00176-GMR
SI5338K-B01671-GM
SI5338K-B01671-GMR
SI5338K-B01672-GM
SI5338K-B01672-GMR
SI5338K-B02174-GM
SI5338K-B02174-GMR
SI5338K-B02184-GM
SI5338K-B02184-GMR
SI5338K-B02185-GM
