- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 输入类型：
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- 上升/下降时间（典型值）：
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- 逻辑电压 - VIL，VIH：
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- 高压侧电压 - 最大值（自举）：
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27 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 21,612 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 75,779 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 9,780 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 13,873 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | IC GATE DRV HALF-... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 140 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 925 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 11 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC 200V HB GATE DRI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | IC GATE DRV HALF-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | IC GATE DRV HALF-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC 200V HB GATE DRI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
