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栅极驱动器
品牌:
Texas Instruments
(1)
pSemi
(3)
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工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
(3)
-40°C ~ 140°C(TJ)
(1)
电压 - 供电:
4V ~ 5.5V
(1)
4V ~ 6.5V
(1)
4V ~ 6V
(1)
8V ~ 17V
(1)
输入类型:
-
(1)
CMOS/TTL
(1)
反相
(1)
非反相
(1)
上升/下降时间(典型值):
1ns,1ns
(1)
2.5ns,2.5ns
(1)
8ns,7ns
(1)
900ps,900ps
(1)
通道类型:
同步
(3)
独立式
(1)
逻辑电压 - VIL,VIH:
-
(2)
0.6V,1.6V
(1)
0.8V,2.5V
(1)
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
2A,4A
(3)
3A,3A
(1)
高压侧电压 - 最大值(自举):
-
(1)
100 V
(2)
120 V
(1)
已选条件:
栅极驱动器
栅极类型 : N 沟道 MOSFET
封装/外壳 : 模具
4 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
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UCC27201ATDA2
Texas Instruments
IC GATE DRVR HALF...
1
2,000
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PE29100A-X
pSemi
IC GATE DRVR HALF...
1
2,000
加入询价
PE29102A-X
pSemi
IC GATE DRVR HALF...
1
2,000
加入询价
PE29101A-X
pSemi
IC GATE DRVR HALF...
1
2,000
加入询价
UCC27201ATDA2
Texas Instruments
-
库存 : 2,000
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PE29100A-X
pSemi
-
库存 : 2,000
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PE29102A-X
pSemi
-
库存 : 2,000
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PE29101A-X
pSemi
-
库存 : 2,000
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