- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 供电：
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- 上升/下降时间（典型值）：
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- 逻辑电压 - VIL，VIH：
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- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
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87 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 8,620 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 5,608 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF... |
1 | 9,245 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 9,223 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 4,057 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 1,672 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 556 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 4,324 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 2,648 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 1,839 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 2,386 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 2,680 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 1,940 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET GATE DRIV... |
1 | 855 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 48 V SMART HIGH-SI... |
1 | 2,828 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 165 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IC GATE DRVR HIGH... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
