- 品牌：
-
- Infineon Technologies (258)
- Intersil（瑞萨电子公司） (158)
- Microchip Technology (17)
- ON Semiconductor (31)
- Micron Technology (1376)
- AKM (2)
- Etron Technology (3)
- Flexxon (1)
- GSI Technology (1)
- Kioxia America, Inc. (15)
- Macronix (217)
- MoSys (3)
- Silicon Motion (116)
- Swissbit (5)
- 安装类型：
-
- 工作温度：
-
- 供应商器件封装：
-
- 电压 - 供电：
-
- 存储容量：
-
- 技术：
-
- 存储器类型：
-
- 时钟频率：
-
- 存储器组织：
-
- 存储器接口：
-
- 写周期时间 - 字，页：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Micron Technology | IC DRAM 4GBIT 2.133G... |
1 | 3,474 | 加入询价 | |
|
|
Alliance Memory, Inc. | 512M X 8, 1.35V, 800MHZ,... |
1 | 170 | 加入询价 | |
|
|
Alliance Memory, Inc. | 512M X 8, 1.35V, 800MHZ,... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
|
|
Alliance Memory, Inc. | 512M X 8, 1.35V, 800MHZ,... |
1 | 4,681 | 加入询价 | |
|
|
Micron Technology | IC DRAM 4GBIT 2.133G... |
1 | 1,360 | 加入询价 | |
|
|
Alliance Memory, Inc. | 2G NEW - D DIE 128M X... |
1 | 190 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | NOR |
1 | 464 | 加入询价 | |
|
|
Micron Technology | IC DRAM 16GBIT 933M... |
1 | 1,150 | 加入询价 | |
|
|
MoSys | QPR4-12 GB/S |
1 | 40 | 加入询价 | |
|
|
Etron Technology | 256M BIT RPC DRAM (... |
1 | 690 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IC FLASH NOR |
1 | 1,742 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IC FLASH MEMORY 4... |
1 | 1,036 | 加入询价 | |
|
|
Micron Technology | IC FLASH 128GBIT M... |
1 | 1,155 | 加入询价 | |
|
|
Micron Technology | IC FLASH 512GBIT M... |
1 | 653 | 加入询价 | |
|
|
Micron Technology | IC FLASH 1TBIT MM... |
1 | 356 | 加入询价 | |
|
|
ATP Electronics, Inc. | 21GB E.MMC 153 BALLS... |
1 | 20 | 加入询价 | |
|
|
ATP Electronics, Inc. | 64GB E.MMC 153 BALLS... |
1 | 20 | 加入询价 | |
|
|
MoSys | QPR8-15 GB/S |
1 | 20 | 加入询价 | |
|
|
MoSys | QPR8-25 GB/S |
1 | 18 | 加入询价 | |
|
|
Etron Technology | 8GB (512MX16) DDR3. 96-... |
1 | 100 | 加入询价 |
