安装类型:
存储器类型:
存储器格式:
写周期时间 - 字,页:
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
W972GG8KS-18 TR Winbond Electronics Corporation
IC DRAM 2GBIT PAR...
1 2,000 加入询价
AS4C128M16D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc.
IC DRAM 2GBIT PAR...
1 2,000 加入询价
W972GG8KS-25 Winbond Electronics Corporation
IC DRAM 2GBIT PAR...
1 2,000 加入询价
W972GG6KB-18 Winbond Electronics Corporation
IC DRAM 2GBIT PAR...
1 2,000 加入询价
W972GG8KS-18 Winbond Electronics Corporation
IC DRAM 2GBIT PAR...
1 2,000 加入询价
AS4C128M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc.
IC DRAM 2GBIT PAR...
1 2,000 加入询价
MT47H256M8EB-25E:C TR Micron Technology
IC DRAM 2GBIT PAR...
1 2,000 加入询价
IS43QR16512A-083TBL Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
IC DRAM 8GBIT PAR...
1 2,000 加入询价
EM68A16CBQC-25H Etron Technology
IC DRAM 256MBIT PA...
1 2,000 加入询价
EM68B16CWQK-25H Etron Technology
IC DRAM 512MBIT PA...
1 2,000 加入询价
EM68C16CWQG-25H Etron Technology
IC DRAM 1GBIT PAR...
1 2,000 加入询价
NDB16PFC-5EET TR Insignis Technology Corporation
IC DRAM 1GBIT PAR...
1 18 加入询价
MSR820AJC288-12 MoSys
IC SRAM 576MBIT PA...
1 2,000 加入询价
MSR630AGC-1512 MoSys
IC SRAM 1.152GBIT P...
1 2,000 加入询价
MSR830AGC-1512 MoSys
IC SRAM 1.152GBIT P...
1 2,000 加入询价
MT47H16M16BG-37E:B TR Micron Technology
IC SDRAM 256MBIT 26...
1 2,000 加入询价
MT47H16M16BG-3:B TR Micron Technology
IC DRAM 256MBIT PA...
1 2,000 加入询价
MT47H32M16BT-37E:A TR Micron Technology
IC DRAM 512MBIT PA...
1 2,000 加入询价
MT47H32M8BP-37E:B TR Micron Technology
IC DRAM 256MBIT PA...
1 2,000 加入询价
MT47H32M8BP-3:B TR Micron Technology
IC DRAM 256MBIT PA...
1 2,000 加入询价
我们一直持续专注
实力现货
即时报价
快速出货
0755-23990123
13723705933
微信客服1部
微信客服2部
绝对原装正品
原厂渠道
全新正品
原厂认证
检测报告
IQC品控检测