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电容器
陶瓷电容器
容差:
±1%
(20)
±10%
(20)
±2%
(21)
±5%
(20)
特性:
高 Q 值,低损耗
(36)
高 Q 值,低损耗,超低 ESR
(4)
高 Q 值,低损耗,超低 ESR,软端接
(4)
高 Q 值,低损耗,软端接
(36)
高 Q 值,低损耗,非磁性
(1)
应用:
RF,微波,高频
(5)
射频,微波,高频,Boardflex 敏感
(40)
通用
(36)
电压 - 额定:
1000V(1kV)
(8)
100V
(8)
150V
(8)
2000V(2kV)
(9)
200V
(8)
250V
(8)
300V
(8)
500V
(16)
630V
(8)
温度系数:
C0G,NP0
(37)
C0G,NP0(1B)
(44)
已选条件:
陶瓷电容器
电容 : 39 pF
厚度(最大值) : 0.070"(1.78mm)
81 条记录
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型号
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1111Y6300390KQT
Syfer
CAP CER 39PF 630V C0...
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1111Y6300390KQT
Syfer
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